Infineon Technologies IRFP3077PBF MOSFET 1 Canal N 340 W TO-247AC

Conrad Electronics Infineon Technologies IRFP3077PBF MOSFET 1 Canal N 340 W TO-247AC
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Infineon Technologies IRFP3077PBF MOSFET 1 Canal N 340 W TO-247AC
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IRFP3077PBF Référence fabricant:IRFP3077PBF 2050001541123 EAN:2050001541123 Classe d'efficacité énergétique:Download Fiche technique produit:Download https://www.conrad.de/scripts/wgate/zcop_bilder/!?show_artnum=161015 Information produit:Download Déclaration de conformité:Download Garantie:Download
Abréviation du fabricant (composants) : INF · C(ISS) : 9400 pF · Caractéristique du transistor : Standard · I(d) : 120 A · Nombre de canaux : 1 · Puissance (max) P(TOT) : 340 W · Q(G) : 220 nC · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 3.3 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 75 A · Série (semiconducteur) : HEXFET® · Température de fonctionnement (max.) : +175 °C · Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 75 V · Tension de référence C(ISS) : 50 V · Tension de référence R(DS)(on) : 10 V · Type (transistors) : Canal N · Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-247AC · Type de montage : trou traversant · U(DSS) : 75 V · U(GS)(th) Courant de référence max. : 250 µA · U(GS)(th) max. : 4 V Données techniques Abréviation du fabricant (composants) : INFC(ISS) : 9400 pFCaractéristique du transistor : StandardI(d) : 120 ANombre de canaux : 1Puissance (max) P(TOT) : 340 WQ(G) : 220 nCQ(G) Tension de référence : 10 VR(DS)(on) : 3.3 mΩR(DS)(on) Courant de référence : 75 ASérie (semiconducteur) : HEXFET®Température de fonctionnement (max.) : +175 °CTempérature de fonctionnement (min.) (num) : -55 °CTension de rupture U(BR) (DSS) : 75 VTension de référence C(ISS) : 50 VTension de référence R(DS)(on) : 10 VType (transistors) : Canal NType de boîtier (semi-conducteur) : TO-247ACType de montage : trou traversantU(DSS) : 75 VU(GS)(th) Courant de référence max. : 250 µAU(GS)(th) max. : 4 V Points forts

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