9,48 €
Fin de la vente : 1j 13h
Etat : Occasion
EAN : 2050001540546
Hazardous Description : null
Hazardous Signal Word : null
Hazardous Statement 1 : null
Hazardous Statement 2 : null
Marque : Infineon Technologies
Numéro de pièce fabricant : 1
Quantité unitaire : 1
Conrad Electronics
Infineon Technologies IRFB4610PBF MOSFET 1 Canal N 190 W TO-220AB
Nos produits sur ebay
Infineon Technologies IRFB4610PBF MOSFET 1 Canal N 190 W TO-220AB
https://asset.conrad.com/media10/isa/160267/c1/-/fr/160859_BB_00_FB/image?x=1000&y=1000&ex=1000&ey=1000&align=center&format=jpg
https://asset.conrad.com/media10/isa/160267/c1/-/fr/160859_BB_00_FB/image?x=1000&y=1000&ex=1000&ey=1000&align=center&format=jpg
https://asset.conrad.com/media10/isa/160267/c1/-/fr/160859_BB_00_FB/image?x=1000&y=1000&ex=1000&ey=1000&align=center&format=jpg
https://asset.conrad.com/media10/isa/160267/c1/-/fr/160859_BB_00_FB/image?x=1000&y=1000&ex=1000&ey=1000&align=center&format=jpg
Online
IRFB4610PBF
Référence fabricant:IRFB4610PBF
2050001540546
EAN:2050001540546
Classe d'efficacité énergétique:Download
Fiche technique produit:Download
https://www.conrad.de/scripts/wgate/zcop_bilder/!?show_artnum=160947
Information produit:Download
Déclaration de conformité:Download
Garantie:Download
Abréviation du fabricant (composants) : INF · C(ISS) : 3550 pF · Caractéristique du transistor : Standard · I(d) : 73 A · Nombre de canaux : 1 · Puissance (max) P(TOT) : 190 W · Q(G) : 140 nC · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 14 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 44 A · Série (semiconducteur) : HEXFET® · Température de fonctionnement (max.) : +175 °C · Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 100 V · Tension de référence C(ISS) : 50 V · Tension de référence R(DS)(on) : 10 V · Type (transistors) : Canal N · Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-220AB · Type de montage : trou traversant · U(DSS) : 100 V · U(GS)(th) Courant de référence max. : 100 µA · U(GS)(th) max. : 4 V
Données techniques
Abréviation du fabricant (composants) : INFC(ISS) : 3550 pFCaractéristique du transistor : StandardI(d) : 73 ANombre de canaux : 1Puissance (max) P(TOT) : 190 WQ(G) : 140 nCQ(G) Tension de référence : 10 VR(DS)(on) : 14 mΩR(DS)(on) Courant de référence : 44 ASérie (semiconducteur) : HEXFET®Température de fonctionnement (max.) : +175 °CTempérature de fonctionnement (min.) (num) : -55 °CTension de rupture U(BR) (DSS) : 100 VTension de référence C(ISS) : 50 VTension de référence R(DS)(on) : 10 VType (transistors) : Canal NType de boîtier (semi-conducteur) : TO-220ABType de montage : trou traversantU(DSS) : 100 VU(GS)(th) Courant de référence max. : 100 µAU(GS)(th) max. : 4 V
Points forts
Description
null
Livraison
null
