Infineon Technologies IRL2505PBF MOSFET 1 Canal N 200 W TO-220AB

Objet vendu

Fin de la vente : 07/09/2023
Etat : Occasion
EAN : 2050003204651
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Marque : Infineon Technologies
Numéro de pièce fabricant : 1
Quantité unitaire : 1

Conrad Electronics Infineon Technologies IRL2505PBF MOSFET 1 Canal N 200 W TO-220AB
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Infineon Technologies IRL2505PBF MOSFET 1 Canal N 200 W TO-220AB
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IRL2505PBF Référence fabricant:IRL2505PBF 2050003204651 EAN:2050003204651 Classe d'efficacité énergétique:Download Fiche technique produit:Download https://www.conrad.de/scripts/wgate/zcop_bilder/!?show_artnum=564181 Information produit:Download Déclaration de conformité:Download Garantie:Download
Abréviation du fabricant (composants) : INF · C(ISS) : 5000 pF · Caractéristique du transistor : Porte de niveau logique · Nombre de canaux : 1 · Puissance (max) P(TOT) : 200 W · Q(G) : 130 nC · Q(G) Tension de référence : 5 V · R(DS)(on) : 8 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 54 A · Série (semiconducteur) : HEXFET® · Température de fonctionnement (max.) (num) : +175 °C · Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 55 V · Tension de référence C(ISS) : 25 V · Tension de référence R(DS)(on) : 10 V · Type (transistors) : Canal N · Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-220AB · Type de montage : trou traversant · U(DSS) : 55 V · U(GS)(th) Courant de référence max. : 250 µA · U(GS)(th) max. : 2 V Données techniques Abréviation du fabricant (composants) : INFC(ISS) : 5000 pFCaractéristique du transistor : Porte de niveau logiqueNombre de canaux : 1Puissance (max) P(TOT) : 200 WQ(G) : 130 nCQ(G) Tension de référence : 5 VR(DS)(on) : 8 mΩR(DS)(on) Courant de référence : 54 ASérie (semiconducteur) : HEXFET®Température de fonctionnement (max.) (num) : +175 °CTempérature de fonctionnement (min.) (num) : -55 °CTension de rupture U(BR) (DSS) : 55 VTension de référence C(ISS) : 25 VTension de référence R(DS)(on) : 10 VType (transistors) : Canal NType de boîtier (semi-conducteur) : TO-220ABType de montage : trou traversantU(DSS) : 55 VU(GS)(th) Courant de référence max. : 250 µAU(GS)(th) max. : 2 V Points forts



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