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Infineon Technologies IRFB7434PBF MOSFET 1 Canal N 294 W TO-220 - Bidiris

Infineon Technologies IRFB7434PBF MOSFET 1 Canal N 294 W TO-220

Fin de la vente : 26j 11h
Etat : Occasion
EAN : 2050003203258
Marque : Infineon Technologies
Numéro de pièce fabricant : 1
Quantité unitaire : 1

Conrad Electronics Infineon Technologies IRFB7434PBF MOSFET 1 Canal N 294 W TO-220
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Infineon Technologies IRFB7434PBF MOSFET 1 Canal N 294 W TO-220
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IRFB7434PBF Référence fabricant:IRFB7434PBF 2050003203258 EAN:2050003203258 Classe d'efficacité énergétique:Download Fiche technique produit:Download https://www.conrad.de/scripts/wgate/zcop_bilder/!?show_artnum=564036 Information produit:Download Déclaration de conformité:Download Garantie:Download
Abréviation du fabricant (composants) : INF · C(ISS) : 10820 pF · Caractéristique du transistor : Standard · I(d) : 195 A · Nombre de canaux : 1 · Puissance (max) P(TOT) : 294 W · Q(G) : 324 nC · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 1.6 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 100 A · Série (semiconducteur) : HEXFET®, StrongIRFET™ · Température de fonctionnement (max.) (num) : +175 °C · Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 40 V · Tension de référence C(ISS) : 25 V · Tension de référence R(DS)(on) : 10 V · Type (transistors) : Canal N · Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-220 · Type de montage : trou traversant · U(DSS) : 40 V · U(GS)(th) Courant de référence max. : 250 µA · U(GS)(th) max. : 3.9 V Données techniques Abréviation du fabricant (composants) : INFC(ISS) : 10820 pFCaractéristique du transistor : StandardI(d) : 195 ANombre de canaux : 1Puissance (max) P(TOT) : 294 WQ(G) : 324 nCQ(G) Tension de référence : 10 VR(DS)(on) : 1.6 mΩR(DS)(on) Courant de référence : 100 ASérie (semiconducteur) : HEXFET®, StrongIRFET™Température de fonctionnement (max.) (num) : +175 °CTempérature de fonctionnement (min.) (num) : -55 °CTension de rupture U(BR) (DSS) : 40 VTension de référence C(ISS) : 25 VTension de référence R(DS)(on) : 10 VType (transistors) : Canal NType de boîtier (semi-conducteur) : TO-220Type de montage : trou traversantU(DSS) : 40 VU(GS)(th) Courant de référence max. : 250 µAU(GS)(th) max. : 3.9 V Points forts



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