Infineon Technologies IRF6721STR1PBF MOSFET 1 Canal N 2.2 W DirectFET™

Fin de la vente : 23/02/2023
Etat : Occasion
EAN : 2050001542960
Marque : Infineon Technologies
Numéro de pièce fabricant : 1
Quantité unitaire : 1

Conrad Electronics Infineon Technologies IRF6721STR1PBF MOSFET 1 Canal N 2.2 W DirectFET™
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Infineon Technologies IRF6721STR1PBF MOSFET 1 Canal N 2.2 W DirectFET™
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IRF6721STR1PBF Référence fabricant:IRF6721STR1PBF 2050001542960 EAN:2050001542960 Classe d'efficacité énergétique:Download Fiche technique produit:Download https://www.conrad.de/scripts/wgate/zcop_bilder/!?show_artnum=161263 Information produit:Download Déclaration de conformité:Download Garantie:Download
Abréviation du fabricant (composants) : INF · C(ISS) : 1430 pF · Caractéristique du transistor : Standard · I(d) : 14 A, 60 A · Nombre de canaux : 1 · Puissance (max) P(TOT) : 2.2 W · Q(G) : 17 nC · Q(G) Tension de référence : 4.5 V · R(DS)(on) : 7.3 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 14 A · Série (semiconducteur) : HEXFET® · Température de fonctionnement (max.) (num) : +150 °C · Température de fonctionnement (min.) (num) : -40 °C · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 30 V · Tension de référence C(ISS) : 15 V · Tension de référence R(DS)(on) : 10 V · Type (transistors) : Canal N · Type de boîtier (semi-conducteur) : DirectFET™ · Type de montage : montage en saillie · U(DSS) : 30 V · U(GS)(th) Courant de référence max. : 25 µA · U(GS)(th) max. : 2.4 V Données techniques Abréviation du fabricant (composants) : INFC(ISS) : 1430 pFCaractéristique du transistor : StandardI(d) : 14 A, 60 ANombre de canaux : 1Puissance (max) P(TOT) : 2.2 WQ(G) : 17 nCQ(G) Tension de référence : 4.5 VR(DS)(on) : 7.3 mΩR(DS)(on) Courant de référence : 14 ASérie (semiconducteur) : HEXFET®Température de fonctionnement (max.) (num) : +150 °CTempérature de fonctionnement (min.) (num) : -40 °CTension de rupture U(BR) (DSS) : 30 VTension de référence C(ISS) : 15 VTension de référence R(DS)(on) : 10 VType (transistors) : Canal NType de boîtier (semi-conducteur) : DirectFET™Type de montage : montage en saillieU(DSS) : 30 VU(GS)(th) Courant de référence max. : 25 µAU(GS)(th) max. : 2.4 V Points forts



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